5 月 27 日，中国国产 DRAM（动态随机存取存储器）龙头企业长鑫科技集团股份有限公司正式登陆科创板上会，接受上市审核。作为国内唯一、全球第四的 DRAM 原厂，此次上会备受市场瞩目，若顺利过会，其市值有望冲击 2 万亿元，成为科创板开板以来最具分量的芯片 IPO 之一。中国半导体资深KOL、电子创新网CEO张国斌在接受俄罗斯卫星通讯社采访时从产业突破与政策信号两个维度深入分析了当前的技术和市场现实，并指出，长鑫过会是DRAM领域“从0到1”的突破，但距离真正的科技自主仍有代际差距和设备依赖等关键约束。
一、科技突破显著，但"科技自主权"仍面临关键约束
目前长鑫存储是中国唯一一家能够挑战三星、SK海力士、美光的内存制造商。据媒体报道，长鑫科技拟募资295亿元，将成为2026年以来A股最大IPO。有分析机构预测，依托亮眼的盈利基本面，叠加存储芯片高景气赛道带来的估值红利，长鑫科技总市值有望冲击2万亿元至3万亿元区间。
张国斌指出，长鑫科技确实代表了中国在DRAM这一特定领域的实质性突破，该公司已取得了瞩目的成就：
但同时，他表示，其"科技自主权"仍面临关键约束：
长鑫科技虽已实现DDR5/LPDDR5X量产，填补国内通用DRAM空白，但HBM（高带宽存储）与三星、SK海力士仍存差距。另外，长鑫科技表示，该公司产能规模距离DRAM行业前三家国际头部厂商（三星、SK海力士及美光）也有一定差距，且产能规模亦远低于国内庞大的市场需求。
因此，张国斌表示，由于在底层工艺、设备自主、盈利可持续性上，距离真正的“科技自主权”仍有显著差距。
二、政策信号解读：国家意志与市场机制的巧妙融合
值得一提的是，长鑫科技IPO进程效率颇高，公司IPO于2025年12月30日获受理，并于今年5月17日更新IPO招股书（申报稿），审核状态由“中止”恢复为“已受理”。从最初获受理到顺利过会，长鑫科技仅用时148天。
另根据披露，长鑫科技本次发行拟募资295亿元，投向三个项目：存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目（75亿元）、DRAM存储器技术升级项目（180亿元）、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目（90亿元），项目总投资额为345亿元。
自成立以来，长鑫科技共历经九轮融资。截至招股书签署日，长鑫科技共有60名机构股东。第一大股东为清辉集电，持股比例为21.67%。清辉集电第二大合伙人（持有清辉集电48.9%）长鑫集成实控人为合肥市国资委。长鑫集成也是长鑫科技第二大股东，持股比例为11.71%。大基金二期以8.73%持股位居长鑫科技第三大股东。另外，广州、深圳等地国资也有参与。
对此，张国斌认为，长鑫过会释放了审核绿色通道与国资主导的政策信号。
但与此同时，专家指出，由于募资规模有限，投入主体多元，地方国资驱动而非中央直接拨款，这更像是"以资本市场为纽带，撬动社会资本投向硬科技"的模式——通过科创板IPO为长鑫提供后续融资平台，同时让早期国资投资（如合肥产投）实现退出和增值，形成"投资-上市-再投资"的循环。
三、深层意义：资本市场结构转型，而非单纯的技术胜利
张国斌认为，长鑫过会标志着中国在存储芯片应用层打破了海外‘零供应’垄断，是中国在半导体应用层国产替代的重要里程碑，“在特定地缘政治约束下，中国通过‘地方国资引导+资本市场接力’的模式，在这一细分领域实现了商业化突破。”他说，其真正标志性意义在于以下三方面：
中国媒体报道称，长鑫科技此时冲刺科创板，不仅是自身发展的重要里程碑，更承载着引导资本流向、优化资本市场结构、助力科技自立自强的示范使命。长鑫科技的上市进程，已成为观察社会资本响应国家战略、赋能硬科技产业发展的重要风向标。
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